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骁龙810干不过801热门手机性能发热测试

发布时间:2020-02-14 05:40:13 阅读: 来源:注塑加工厂家

安卓手机(mobile.hiapk.com)编辑:LYZ 时间:2015-08-10手机扫描分享 ▍骁龙810干不过801!高通在前些天的骁龙810品鉴会上说我们的骁龙处理器不热,所有设计均符合预期。机身发热主要由于手机终端厂商的内部结构和设计,对于骁龙810的软调策略自定义所导致的。好像把问题给踢走了,我们都知道像高通这样的平台厂商与终端OEM厂商(LG,小米,一加等等)是属于合作伙伴的关系,再说的直白点其实就是卖家和客户的关系,两者最重要的就是信任。

前几年骁龙处理器表现良好时,大家和气有钱一起赚,你好我好大家好。但今年推出的旗舰产品骁龙810的市场表现和口碑不尽人意,出现这样的情况很突然,两者都不愿看到。那么问题来了,在面对外界舆论的考验下,他们是否很能够团结一致呢?我们看到的答案有些可惜,问题在平台厂商和OEM直接被踢来踢去。

智能手机迅速进入64位时代

我们先来回顾一下这款处理器:2013年9月伴随着苹果发布的iPhone 5S,其采用64位的Apple A7惊艳亮相,智能手机突然迎来64位时代,运行效率猛升一个台阶。与此同时手机处理器64位化的进程从此开启,那段时间很有趣,nVIDIA速度表示,Tegra K1 Denver也会有64bit版本,并且和苹果一样自主设计核心架构;三星也立刻拿出了线路图,表示在年底就会出样支持64位的产品,明年还会有自行设计的64位核心。

高通则逆势发表了一个声明,认为64位计算在手机上没有实际意义。很快高通就收回了自己的声明,表示我们也会尽快推出基于64位的产品,而先前发表64位无用论的高管则不幸被辞。可见高通公司内部意见的不统一,也可以侧面反映出对64位处理器并没有任何提前布局和短期规划。

64位时代高通乱了节奏

面对众竞争对手在2014年的压力,高通自己设计的核心又来不及,所以骁龙810就此诞生,被迫采用ARM Cortex的公版架构。但此前一直使用自主设计核心的高通,在使用ARM Cortex的公版架构上经验并不丰富,赶鸭子上架只为赶上停靠在八楼的“2路汽车”。

骁龙810今年4月7日被高通公司所发布,采用20nm台积电制造工艺,64位八核心设计,采用ARM公版四核Cortex-A57+四核Cortex-A53架构,GPU为Adreno 430。支持DX11.2、OpenGL ES 3.1、OpenCL1.2完整版,支持完整的H.265硬件解码。

骁龙810在还未正式量产时就传出测试版版过热的消息,后来高通承认问题存在并表示过热问题已经解决。随后第一波骁龙810大规模应用的机型LG G FLEX和HTC M9问世,两款机器均出现了机身过热,处理器降频较严重的现象。在这之后搭载骁龙810处理器机器的发热降频现象开始引起更多关注。

骁龙810姿势有点不对

骁龙810的问题极可能出在这两方面:

一,20nm台积电制造工艺

骁龙810是高通产品线上唯一一个应用了台积电 20nm工艺的产品。28nm在骁龙801上的大放异彩,TSMC很早就决定提前研发16nm节点,后者会是台积电首次引入三栅晶体管,也就是FinFet,简称FF的工艺节点。FF可能是近几年来半导体工艺里最大的突破之一,当然也是最大的一道槛,在当时只有Intel掌握,其他厂家都还在摸索。

TSMC认为提前研发16FF工艺,可以继续维持自己的领先优势,因此对于20nm工艺的态度显得非常随意,仅仅是28nm工艺的线宽缩小,并没有引入任何新的技术。一个没有引入任何新技术的工艺节点,仅仅缩小了线宽,能有多大的性能提升是可想而知的,就好比当年40LP工艺进化到28LP工艺一样。而同时期的三星猎户座7420已经是基于自家FinFet 14nm制造工艺的作品了。退一步与三星上一代20nm工艺的Exynos 5433对比,功耗还是超出不少。高功耗就会过热,过热只能靠降频大法去控制。

二,自主设计旗舰产品后,首次采用ARM公版架构

ARM公版旗舰的近几年都是异构多核方案,高性能高功耗四个核心带上低性能低功耗四个核心,用这样的方式来解决高性能核心的感人功耗问题。 对于三星,nVIDIA这样的“老司机”,ARM公版架构已经经过很多代的实践,并在实践中慢慢积累经验,各方面的软件调测都相当成熟。

高通此前走的是小核高频策略,依靠小得多的Krait核心,配合接近2.5GHz的高频率,相对而言兼顾了效率和功耗。这一直以来是高通产品的竞争优势。高通此次运用ARM公版架构后这一优势自然也无法继续,加上对其调测经验不足,使得自身处境略显尴尬。

OEM厂商有苦难说,跪了

高通最近在骁龙810媒体品鉴会上把问题全部推给OEM手机厂商的言论一定会使众厂商尤为不爽,但是市面上三星有”黑历史“,nVIDIA的功耗又居高不下,也就只剩下高通骁龙810这颗芯片可供顶级旗舰机选择。OEM厂商吃黄莲,有苦说不出。

我们用事实说话

我们选取三个手机厂商搭载骁龙801和骁龙810的机器各一台,使用中对处理器施以相同大的压力(不间断运行狂野飙车8 15分钟),游戏过程中每隔5分钟测试机身正面和背面的实时最高温度,并且记录游戏开始3分钟和结束前3分钟的游戏实际走时,侧面考察处理器降频对游戏流畅程度(平均帧数)的影响,游戏走时越接近三分钟代表游戏的平均帧数更高。废话不多说我们开始。

小米NOTE(801)

游戏第5分钟 正面39.3 背面37.3

游戏第10分钟 正面40.5 背面37.7

游戏第15分钟 正面40.2 背面38.1

CPU常闭两核 1.0Ghz-1.6Ghz 无明显降频

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分40秒

结束前3分钟实际走时2分39秒

努比亚Z7(801)

游戏第5分钟 正面40.8 背面41.1

游戏第10分钟 正面41.7 背面42.3

游戏第15分钟 正面42.5 背面42.6

CPU常闭一核 1.6Ghz-1.8Ghz 无明显降频

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分52秒

结束前3分钟实际走时2分53秒

一加1(801)

游戏第5分钟 正面37.2 背面37.4

游戏第10分钟 正面37.5 背面38.3

游戏第15分钟 正面38.7 背面38.9

CPU常闭两核 1.0Ghz-2.5Ghz 无明显降频

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分51秒

结束前3分钟实际走时2分52秒

小米NOTE顶配版(810)

游戏第5分钟 正面42.7 背面41.4

游戏第10分钟 正面41.8 背面40.6

游戏第15分钟 正面41.3 背面40.5

1到3分钟大核心锁两核 A53 0.3Ghz*4 A57 1.2Ghz-2.0Ghz *2 3到13分钟一个大核心轮休 13到15分钟 A53 0.76Ghz-0.96Ghz*4 A57 0.86Ghz *2

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分51秒

结束前3分钟实际走时2分48秒

努比亚Z9(810)

游戏第5分钟 正面37.5 背面39.9

游戏第10分钟 正面38.1 背面39.7

游戏第15分钟 正面37.8 背面39.3

1到1分半钟大核心锁两核 A53 0.38Ghz*4 A57 1.2Ghz-1.3Ghz *2 1分半到4分半钟大核心再锁一个 A53 1.56Ghz*4 A57 0.86Ghz-0.96Ghz *1 4分半到14分钟大核心全部锁死 A53 1.56Ghz*4 14到15分钟小核心逐渐降至1.0Ghz以下

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分52秒

结束前3分钟实际走时2分48秒

一加2(810)

游戏第5分钟 正面44.3 背面41.0

游戏第10分钟 正面45.7 背面41.6

游戏第15分钟 正面45.5 背面42.0

CPU全程锁大核心 A53 1.56Ghz*4

我们从第12分钟开始重新计时3分钟

游戏开始3分钟实际走时2分54秒

结束前3分钟实际走时2分48秒

数据汇总

数据让我说

一,搭载骁龙801机器15分钟游戏后CPU无明显降频,根据游戏走时来看,性能几乎没有下降,且机身温度能控制在一个合理范围内。

二,搭载骁龙810机器15分钟游戏后高性能A57核心出现降频甚至锁死关闭的情况,最后阶段几乎要靠低性能A53核心来支撑游戏运行。根据游戏走时来看,游戏平均帧数(流畅度)下降比较明显。

这样的牺牲究其根本是为了控制住游戏刚开始时就已飙升到40多度的机身温度。我们看到一个有趣的现象,一加2从一开始就选择牺牲性能锁死四个A57大核心,但四个A53依然能让机身温度达到感人的46度。

三,游戏最后的3分钟,骁龙810表现出的性能和打酱油的MX5几乎一个水平,是要弱于801。如果游戏继续,相信差距会更明显。

四,骁龙810为了控制发热,限制了自身强大的性能未能对上代产品骁龙801完成超越。

五,图表中三家厂商搭载的骁龙810同时出现锁核心,过热降频的现象,可见问题的普遍性,并且前代旗舰搭载的骁龙801并未发生此现象。OEM厂商在发布会时都会讲,为了对付骁龙810的发热,我们重新设计了机身结构,提高了散热能力。在散热技术方面厂商其实在进步。

PS : 高通方面会将骁龙820的发布日期提前至今年年底,骁龙810有望成为高通最“短命”的旗舰SOC。

OEM厂商:“怪我喽?”

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